[黄山新闻]常见涉税问题合集 小规模纳税人注意啦
严格的等级制度和规避风险的文化正在推动韩国芯片巨头悄然外流在三星电子监督 DRAM 工艺十年后，一位名叫 A 的 43 岁工程师于 2023 年接受了 SK 海力士的工作。最让他惊讶的不是技术工作，而是从他所谓的“伪造报道文化”中解放出来。在三星，跨部门项目经常暴露工艺或设计方面的缺陷，但这些缺陷通常被淡化以避免内部指责。“每个人都知道这场比赛，”他说。“尽量减少问题，否则你的团队会被烧毁。”工程师B从顶尖工程大学毕业后加入三星，在公司工作了八年，他也表达了同样的观点。他预计韩国领先的芯片制造商之间几乎没
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三星 SK海力士
根据全球咨询公司麦肯锡公司(McKinsey & Company)7月20日发布的一份报告,半导体行业排名前5%的公司(基于年销售额),包括NVIDIA,台积电,SK海力士和博通(Broadcom)去年创造了所有利润。前5%的公司获得的经济利润为1590亿美元,而公司利润的中间90%被限制在50亿美元。最底层的5%公司实际上遭受了370亿美元的损失。实际上,前5%的公司收到的成绩单,超过了整个半导体市场创造的经济利润(1470亿美元)。这种市场转变发生在2-3年内。在COVID-19大流行期间(2
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美国商务部正在考虑撤销此前授予台积电、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的许可证——这一举措可能为它们在中国的运营制造新的障碍，据路透社报道。引自华尔街日报，Wccftech 指出，工业与安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推动结束允许美国芯片设备制造商向这些公司中国工厂出售关键工具的豁免。报道补充说，这可能导致它们获取美国制造设备的规定更加严格。根据 Tom's Hardware，该审查针对的是在美国于 2022 年底限制向中国出口芯片制造工具后授予非中国芯片制造商
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据路透社报道，美国商务部正在考虑撤销之前授予台积电、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的许可证，此举可能会给它们在中国大陆的业务制造新的障碍。
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美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京大学持有的数据传输专利，软银则以30亿日元注资成为最大股东（总投资约100亿日元）。该合作计划于2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在2030年前实现商业化。Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责这种分工模式有助于充分发挥
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在英伟达H20受到最新出口限制之后，其正在开发该芯片的降级版本，以寻求在有限政策空间内继续开拓中国市场，最早可能在7月发布。降级版H20性能预计会有较为明显的下调，尤其是在内存容量方面，据TrendForce报道英伟达可能会用GDDR取代HBM。英伟达HBM3的供应商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供应商，如果降级版H20选择换用GDDR，那么可能会对现有的供应链产生一定的干扰。同样，三星和SK海力士也都有与英伟达在GDDR7上合作的经验，值得注意的是，现阶段GDDR7的供应主要由三星提供支持，S
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除非SK 海力士出现失误，美光似乎不太可能迎头赶上。
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SK海力士
随着存储器巨头加速布局HBM4和多层NAND产品，混合键合技术越来越受到关注。根据 ZDNet 的一份报告，韩国三星电子和SK海力士在关键专利方面仍然落后。该报告强调，三星和SK海力士披露的混合键合相关专利相对较少，大幅低于竞争对手长江存储。 据报道，三星电子已与长江存储签署了一项许可协议，在其下一代NAND中采用混合键合技术。此举反映了三星希望规避长江存储的专利的挑战，这些专利被认为难以避免。报告指出，长江存储在其“Xtacking”品牌下大规模生产基于混合键合的NAND已有大约四年
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全球存储器市场近期出现显著价格上涨，消费级存储器产品价格持续攀升。 根据最新市场动态，SK海力士消费级DRAM颗粒价格已上涨约12%，落实先前市场的涨价传言。美商威腾旗下品牌SanDisk则于先前发布NAND Flash价格上调通知，自4月1日起，对所有通路商及零售客户的产品实施价格调整，涨幅将超过10%。市场分析人士指出，存储器价格近期上涨主要受到全球供应链瓶颈、晶圆产能限制及美系客户急拉货的影响。特别是人工智能、云端运算及5G技术的快速发展，持续推动了对高性能内存的强劲需求，存储器国际大厂集中资源，生
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SK海力士 DRAM
三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。ddr4和ddr5的区别· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度为
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DDR4 DDR5 三星 SK海力士 内存 HBM
4月24日消息，韩国内存巨头SK海力士公布2025年Q1财报，Q1营业利润同比增长158%，为7.44万亿韩元（约合52亿美元），超过预期的6.6万亿韩元。营收同比增长42%，达到17.63万亿韩元。数据显示，这是SK海力士第二好的季度业绩，此前该公司上一季度营收和营业利润均创历史新高。作为英伟达HBM(高带宽存储器)的重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。2025年Q1，SK海力士在DRAM市场的份额超过三星。报告期内，SK海力士占据了DRAM市场36%的份额，而三星是34%。
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SK海力士 存储芯片 HBM
三大原厂纷纷缩减旧制程产能，除三星电子已传宣布4月终止1y nm及1z nm制程的DDR4生产，美光亦通知客户停产服务器用旧制程DDR4模组，SK海力士据传也将DDR4产出比重降至20%。法人认为，市场景气低迷，上游存储器厂加速产品迭代，降低单位成本以提升获利，同时将资源转向高带宽记忆体（HBM）及DDR5等高阶产品。短期内内存价格受到关税备货与供给控制支撑，但整体环境不确定性高，未来基本面仍存隐忧。三星已通知供应链，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4内存将于2025年4月停止生产（EOL）
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DDR4 三星 SK海力士 美光
2025-08-04，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字节）产品的客户验证，是基于CXL* 2.0标准的DRAM解决方案产品。SK海力士表示：“将此产品应用于服务器系统，相较于现有的DDR5模组，其容量增长了50%，宽带扩展了30%，可处理每秒最多36GB的数据。该产品有望显著降低客户在构建并运营数据中心时所需的总体拥有成本*。”继96GB产品验证，公司正在与其他客户开展128GB产品的验证流程。该产品搭载第五代10纳米级（1b）32Gb
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SK海力士 CXL 2.0 DDR5 数据中心存储
4月9日消息，根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%，而三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。SK海力士预期，营收与市占率的增长至少会持续到下一季度，其还表示，公司在关键的HBM市场占有率高达70%。Counterpoint Research资深分析师Jeongku Choi
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SK海力士 三星 DRAM
4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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